Disponibilité: | |
---|---|
Quantité: | |
DH150N12D
Wxdh
À 252b
120 V
50A
50a 120V Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1 Description
Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Faible de résistance
● Charge de porte basse
● Commutation rapide
● Capacités de transfert inverse faibles
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Applications de commutation d'alimentation
● Système de gestion de l'onduleur
● outils électriques
● Electronique automobile
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
120 V | 15 mΩ | 50A |
50a 120V Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1 Description
Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Faible de résistance
● Charge de porte basse
● Commutation rapide
● Capacités de transfert inverse faibles
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Applications de commutation d'alimentation
● Système de gestion de l'onduleur
● outils électriques
● Electronique automobile
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
120 V | 15 mΩ | 50A |