50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH150N12D TO-252B

50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետներն օգտագործում էին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Արագ միացում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ 

● Inverter կառավարման համակարգ 

● Էլեկտրական գործիքներ 

● Ավտոմոբիլային էլեկտրոնիկա

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
120 Վ	15 mΩ	50 Ա