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P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8

P-Kanal Enhancement Mode Leistungs-MOSFET 12A 60V
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P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 12A 60V


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und sorgen für einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-60V 58,5 mΩ -12A



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