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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8

P-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 12A 60V
Verfügbarkeit:
Menge:

P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 12A 60V


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs, die fortschrittliche Grabentechnologie und -gestaltung verwendeten, sorgen für hervorragende RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-60V 58,5 mΩ -12a



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