未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi
Model:
Paket:
V:
A:
ODABRANE LINIJE PROIZVODA:

Svi proizvodi

Slika Model Paket V A Datasheet Detalji Upit Dodaj u košaricu
80A 60V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Uređaj+DATD063N06N+Specifikacija Rev.1.0.pdf
50A 650V polumostni modul IGBT modul DGA50H65M2T 34 mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Uređaj DHS110N15 Specifikacija Rev.1.0.pdf
25A 100V P-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Uređaj DH100P25 Specifikacija.pdf
100A 60V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Podatkovna tablica_V2.0.pdf
18A 100V P-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Uređaj DH100P18 B79 Specifikacija.pdf
47A 100V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Specifikacija uređaja DHS180N10L.pdf
150A 1200V polumosni modul DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V polumosni modul IGBTModul DGB250H120L2T 62 mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
SiC Schottky barijera dioda 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Uređaj DCE10D65G4 Specifikacija.pdf
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Uređaj DH045N06 Specifikacija.pdf
50A 1200V PIM u jednom pakiranju IGBT modula DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
60A 20V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
60A 200V Dioda za brzi oporavak MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书 Rev. 1.1.pdf
100A 1700V polumostni IGBT modul DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Uređaj DH045N04 Specifikacija.pdf
13A 650V N-kanalni Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Uređaj DHSJ13N65 Specifikacija.pdf
4.8A 650V N-kanalni Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A DHFSJ5N65_Datumski list_V1.0.pdf
Regulator napona s tri priključka IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Video o proizvodu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali novosti izravno u svoju pristiglu poštu
    Pošalji
Autorsko pravo © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija autora leadong.com