120A 80V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET
1 Opis
Ovaj moćni mosfet s N-kanalnim načinom poboljšanja koristio je napredni dizajn tehnologije split gate trench, pružajući izvrstan Rdson i niski naboj vrata. Što je u skladu s RoHS standardom.
2 Značajke
● Brzo prebacivanje
● Nizak otpor
● Nizak naboj vrata
● Visoka lavinska struja
● Niski kapaciteti povratnog prijenosa
● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa
● 100% ΔVDS test
3 Prijave
● Sinkrono ispravljanje u SMPS-u
● Teško prebacivanje i strujni krug velike brzine
● Električni alati
● UPS
● Kontrola motora
| VDSS |
RDS(uključen)(TYP) |
ID |
PAKET |
| 80V |
3,9 mΩ |
120A |
TO-220C |
| 80V |
3,7 mΩ |
120A |
TO-263 |