port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12V-300V N MOS » 120a 80V N-kanalforbedringsmodus MOSFET DSG047N08N3 TO-220C

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknapp
Sharethis delingsknapp

120A 80V N-kanals forbedringsmodus MOSFET DSG047N08N3 TO-220C

120A 80V N-kanal Forbedringsmodus MOSFET
Tilgjengelighet:
Mengde:

120A 80V N-kanals forbedringsmodus MOSFET


1 Beskrivelse 

Denne N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS brukte Advanced Splite Gate Trench Technology Design, ga utmerket RDSON og Low Gate Charge. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funksjoner 

● Rask bytte 

● Lav på motstand 

● Lav portladning 

● Høy snøskredstrøm

● Lav omvendte overføringskapasitanser

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 


3 søknader

● Synkron retting i SMP

● Hardt bytte og høyhastighetskrets 

● Kraftverktøy

● UPS 

● Motorkontroll

VDSS Rds (på) (typ) Id PAKKE
80V 3,9MΩ 120a TO-220C
80V 3,7MΩ 120a TO-263


Tidligere: 
NESTE: 
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen