120A 80V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSG047N08N3 TO-220C

120A 80V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit dem fortschrittlichen Splite-Gate-Graben-Technologie-Design ein ausgezeichnetes RDSON und niedrige Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge

● ups 

● Motorsteuerung