120A 80V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DSG047N08N3 TO-220C

120A 80V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning 

Detta N-kanals förbättringsläge power mosfets använde avancerad splitte gate trench-teknologi, gav utmärkt Rdson och låg gate laddning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Snabb växling 

● Lågt motstånd 

● Låg grindladdning 

● Hög lavinström

● Låga omvända överföringskapacitanser

● 100 % enkelpuls lavinenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer

● Synkron likriktning i SMPS

● Hård omkoppling och höghastighetskrets 

● Elverktyg

● UPS 

● Motorstyrning

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID	PAKET
80V	3,9 mΩ	120A	TO-220C
80V	3,7 mΩ	120A	TO-263