未命名(1)(8) (1)
πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα
Μοντέλο:
Πακέτο:
V:
ΕΝΑ:
ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΕΣ ΓΡΑΜΜΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ:

Όλα τα Προϊόντα

Image Model Package V A φύλλου δεδομένων Στοιχεία Ερώτηση Προσθήκη στο καλάθι
80A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 60 V Power MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80Α Device+DATD063N06N+Specification Rev.1.0.pdf
50A Μονάδα μισής γέφυρας 650V Μονάδα IGBT DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 χιλιοστά 650V 50Α DGA50H65M2T.pdf
90A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 150 V Power MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 ΕΩΣ-220C 150V 90Α Συσκευή DHS110N15 Specification Rev.1.0.pdf
25A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25Α Προδιαγραφές συσκευής DH100P25.pdf
100A 60V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 ΕΩΣ-220C 60V 100Α DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18Α Προδιαγραφές συσκευής DH100P18 B79.pdf
47A 100V N-κανάλι Βελτίωση Λειτουργίας Power MOSFET TO-220C DHS180N10L ΕΩΣ-220C 100V 47Α Προδιαγραφές συσκευής DHS180N10L.pdf
Μονάδα μισής γέφυρας 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 χιλιοστά 1200V 150Α DGB150H120L2T(1).pdf
Μονάδα μισής γέφυρας 250A 1200V IGBTMmodule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 χιλιοστά 1200V 250Α DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
SiC Schottky Barrier Diode 10A 650V DCE10D65G4 ΤΟ-263 650V 10Α Προδιαγραφές συσκευής DCE10D65G4.pdf
Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 ΕΩΣ-220C 60V 145Α Προδιαγραφές συσκευής DH045N06.pdf
50A 1200V PIM σε μονάδα IGBT ενός πακέτου DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50Α DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
60A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
60A 200V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60Α 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
Μονάδα 100A 1700V Halfridge IGBT DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 χιλιοστά 1700V 100Α DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50Α Προδιαγραφές συσκευής DH045N04.pdf
13A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 ΕΩΣ-220C 650V 13Α Προδιαγραφές συσκευής DHSJ13N65.pdf
4,8A 650V N-κανάλι Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8Α DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Ρυθμιστής τάσης τριών ακροδεκτών IC L7815 TO-220M L7815 ΕΩΣ-220Μ 15V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Βίντεο προϊόντος

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας
    Υποτάσσομαι
Πνευματικά δικαιώματα © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com