未命名(1)(8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse
Model:
Pachet:
V:
O:
LINII DE PRODUSE SELECTATE:

Toate produsele

Imagine Model Pachet V A Fișă tehnică Detalii Cerere Adaugă la coș
20A 200V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT TO-220C 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Specificația dispozitivului DH065N04.pdf
75A 1200V Tranzistor bipolar pentru poarta izolata Trenchstop DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
12A 60V N-canal Mod îmbunătățire MOSFET de putere D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Specificația dispozitivului D12N06(TO-252B).pdf
240A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88U Pachet TOLL DHS020N88U TAXĂ 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175A 80V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15A 40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650V N-canal de îmbunătățire mod MOSFET de putere F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
MOSFET de putere SIC 120A 1200V N-canal DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Specificația dispozitivului DHS025N88.pdf
Dioda de bariera Schottky SiC 25A 1700V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Specificația dispozitivului DCCT25D170G1.pdf
18A 650V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155A Specificația dispozitivului DH035N04.pdf
REGULATORI DE TENSIUNE POZITIV 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2mA 英文版78LXX技术规格书（78L系列）.pdf
MOSFET de putere SiC cu canal N de 40 mΩ 650 V DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de putere super joncțiune pe canal N 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650V 7A Device DHDSJ7N65&DHBSJ7N65 Specification.doc.pdf
10A 650V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf

Video de produs

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail
    Trimiteți
Drepturi de autor © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologie de leadong.com