未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
10A 45V бар'єрний діод Шотткі MBR1045CT TO-252 MBR1045CT ТО-252Б 45В 10А 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
19A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D ТО-252Б 80В 19A Специфікація пристрою DH300N08.pdf
61A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 ТО-220С 60В 61А Специфікація пристрою DH16N06.pdf
10A 700V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 ТО-220Ф 700В 10А 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
-30A -60V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD ТО-252Б -60В -30А Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Таблиця даних_V2.0.pdf
240A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 ТО-220С 100В 240А Специфікація пристрою DHS025N10.pdf
16A 400V Діод швидкого відновлення MUR1640CT TO-220M MUR1640CT ТО-220М 400В 16А 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
7A 700 В N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 ТО-220Ф 700В 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C & TO-263 DSG047N08N3 ТО-220С 80В 120А Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V бар'єрний діод Шотткі MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
300A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS010N04U ПЛАТНИЙ ПАКЕТ DHS010N04U ПЛАТА 40В 300А Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
210A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 ТО-220С 60В 180А Специфікація пристрою N6005B40.pdf
Епітаксіальний кремнієвий транзистор NPN 13003G5 TO-126 13003G5
30A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 ТО-220С 60В 30А Специфікація пристрою DHZ24B31.pdf
6A 650V SiC бар'єрний діод Шотткі DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 ТО-220-2Л 650В 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
Біполярний транзистор ізольованим затвором 30A 650V DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 ТО-220Ф 650В 30А DGF30F65M2__datasheet.pdf
18A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D ТО-252Б 100В 18А Специфікація пристрою DH100P18 B79.pdf
17A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 ТО-220С 650В 17A Специфікація пристрою DHSJ17N65.pdf
60A 300V Діод швидкого відновлення MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS ТО-3ПН 300В 60А 英文版MUR6030NCS技术规格书.pdf
10A 45V бар'єрний діод Шотткі MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT ТО-220Ф 45В 10А 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com