未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
20A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D ТО-3ПН 650В 20А 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
8A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 ТО-220С 600В 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D ТО-252Б -40В -50А Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
10A 100V бар'єрний діод Шотткі MBR10100CT TO-220M MBR10100CT ТО-220М 100В 10А 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
Діод швидкого відновлення 60A 200V MUR6020NCA TO-3PN MUR6020NCA ТО-3ПН 200В 60А 英文版MUR6020NCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
8A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 ТО-220С 500В 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 ТО-252Б 650В 9А 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40В 100А Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R ТО-220С 100В 120А Специфікація пристрою DH10H037R.pdf
120A 98V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 ТО-220С 98В 120А Специфікація пристрою DHS046N10.pdf
130A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D ТО-252Б 40В 130А Специфікація пристрою DH025N04.pdf
36A 1200V N-канальний SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A ТО-247 1200В 36A Специфікація пристрою DCC080M120A.pdf
63A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
12A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D ТО-252Б 100В 12А Специфікація пристрою DH1K1N10.pdf
12A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 ТО-220Ф 600В 12А 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
80A 75V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D7509 TO-220C D7509 ТО-220С 75В 80А Специфікація пристрою D7509.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 ТО-220С 80В 180А Специфікація пристрою DH8004 (2).pdf
180A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E ТО-263 60В 180А Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
100A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40В 100А Donghai DHS021N04P Data Sheet V3.0.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com