未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
120A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 ТО-220С 40В 120А Специфікація пристрою DH033N04.pdf
160A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30В 160А Специфікація пристрою DH020N03P.pdf
180A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ТО-220С 40В 180А Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
Трьохполюсний стабілізатор напруги IC L7808 TO-220M L7808 ТО-220М 8В 8 мА 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 100V бар'єрний діод Шотткі MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT ТО-220Ф 100В 20А 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85 В/0,9 мОм/360 А N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A ПЛАТА 85В 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 50A 650V G50T65DS TO-247S G50T65DS ТО-247С 650В 50А таблиця даних.pdf
25A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D ТО-252Б -100В -25А Специфікація пристрою DH100P25.pdf
40A 650V SiC бар'єрний діод Шотткі DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 ТО-247 650В 40А Специфікація пристрою DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA ТО-220С 85В 180А Пристрій+DSG041N08NA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
Трьохполюсний стабілізатор напруги IC L7809 TO-220M L7809 ТО-220М 9В 8 мА 英文版L78XX技术规格书.pdf
Трьохполюсний стабілізатор напруги IC L7805CV TO-220M L7805CV ТО-220М 5В 8 мА 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 650V SiC бар'єрний діод Шотткі DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 ТО-220-2 650В 20А Специфікація пристрою DCGT20D65G4.pdf
90A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 ТО-220С 40В 90А Специфікація пристрою DH045N04.pdf
170A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 ТО-263 100В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
20A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F20N50 F20N50 ТО-220Ф 500В 20А 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V Напівмостовий модуль IGBT модуль DGA75H65M2T 34 мм DGA75H65M2T 34 мм 650В 75А DGA75H65M2T.pdf
Діод швидкого відновлення 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT ТО-3ПН 200В 60А 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
21A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ТО-247 650В 21А DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
80A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N ТО-252Б 60В 80А Пристрій+DATD063N06N+Специфікація Rev.1.0.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com