未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
20A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
8A 600V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40 V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
10A 100V SchottkyBarrierDiode MBR10100CT TO-220M MBR10100CT TO-220 mil 100 V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
Rýchla obnovovacia dióda 60A 200V MUR6020NCA TO-3PN MUR6020NCA TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
8A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500 V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Zariadenie DH10H037R Špecifikácia.pdf
120A 98V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98 V 120A Špecifikácia zariadenia DHS046N10.pdf
130A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Zariadenie DH025N04 Špecifikácia.pdf
36A 1200V N-kanálový SIC napájací MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Špecifikácia zariadenia DCC080M120A.pdf
63A 60V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
140A 30V P-kanál v režime vylepšenia výkonového MOSFETu DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH1K1N10.pdf
12A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
80A 75V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Špecifikácia zariadenia D7509.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Špecifikácia zariadenia DH8004 (2).pdf
180A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
100A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai DHS021N04P DataSheet V3.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com