未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Zariadenie DH033N04 Špecifikácia.pdf
160A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Špecifikácia zariadenia DH020N03P.pdf
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7808 TO-220M L7808 TO-220 mil 8V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100 V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A TOLL 85V 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána bipolárny tranzistor G50T65DS TO-247S G50T65DS TO-247S 650 V 50A datasheet.pdf
25A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Špecifikácia zariadenia DH100P25.pdf
40A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Špecifikácia zariadenia DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85V 180A Zariadenie+DSG041N08NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7809 TO-220M L7809 TO-220 mil 9V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7805CV TO-220M L7805CV TO-220 mil 5V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Špecifikácia zariadenia DCGT20D65G4.pdf
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
170A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V modul polovičného mostíka IGBT modul DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Rýchla obnovovacia dióda 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
80A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Zariadenie+DATD063N06N+Špecifikácia Rev.1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com