Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH033N04 TO-220C ДХ033N04 ТО-220С 40В 120А Спецификация устройства DH033N04.pdf
160 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH020N03P 5x6-8 ДХ020Н03П DFN5X6 30В 160А Спецификация устройства DH020N03P.pdf
180 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ТО-220С 40В 180А Дунхай+DHS021N04&DHS021N04E+Информация+V3.0.pdf
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7808 TO-220M L7808 ТО-220М 8В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
Диод с барьером Шоттки 20 А, 100 В MBRF20100CT TO-220F МБРФ20100CT ТО-220Ф 100 В 20А 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85 В/0,9 мОм/360 А N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL ДСУ011Н08Н3А ПОТЕРИ 85В 360А DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
биполярный транзистор G50T65DS TO-247S с изолированными воротами 50A 650V Trenchstop Г50Т65ДС ТО-247С 650В 50А таблица данных.pdf
25 А, 100 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH100P25D TO-252B ДХ100П25Д ТО-252Б -100В -25А Спецификация устройства DH100P25.pdf
40А 650В барьерный диод ДКК40Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-3 DCC40D65G4 ТО-247 650В 40А Спецификация устройства DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA ТО-220C DSG041N08NA ТО-220С 85В 180А Устройство+DSG041N08NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7809 TO-220M L7809 ТО-220М 9В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7805CV TO-220M L7805CV ТО-220М 5В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
20А 650В барьерный диод ДКГТ20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2Л DCGT20D65G4 ТО-220-2 650В 20А Спецификация устройства DCGT20D65G4.pdf
90 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH045N04 TO-220C ДХ045N04 ТО-220С 40В 90А Спецификация устройства DH045N04.pdf
170 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSE028N10N3 TO-263 ДСЕ028Н10Н3 ТО-263 100 В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20 А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F20N50 Ф20Н50 ТО-220Ф 500В 20А 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75А 650В Полумостовой модуль IGBT-модуль DGA75H65M2T 34 мм ДГА75Х65М2Т 34 мм 650В 75А ДГА75Х65М2Т.pdf
Диод быстрого восстановления 60А 200В MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT ТО-3ПН 200В 60А 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом, 21 А, 650 В DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ТО-247 650В 21А DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
80A 60V N-канальный режим расширения MOSFET DATD063N06N TO-252B ДАТД063N06N ТО-252Б 60В 80А Устройство+DATD063N06N+Спецификация Версия 1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com