Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC 18 А, 1200 В DCC160M120G1 TO-247-3L ДКК160М120Г1 ТО-247 1200В 18А Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
10 А, 400 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 740 TO-220C 740 ТО-220С 400В 10А Спецификация устройства 740.pdf
50 А, 120 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH150N12 TO-220C ДХ150Н12 ТО-220С 120 В 50А Спецификация устройства DH150N12.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 20 мОм, 650 В DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 ТО-247-4Л 650В 92А Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
170 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG030N10N3 TO-220C ДСГ030Н10Н3 ТО-220С 100В 170А Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20 А, 60 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH9Z24 TO-220C DH9Z24 ТО-220С 60В 20А Спецификация устройства DH9Z24B1R, версия 1.0.pdf
4А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B4N65 TO-251 Б4Н65 ТО-251 650В 4А 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf.
140 А, 150 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG070N15NA TO-220C ДСГ070Н15НА ТО-220С 150 В 140А Донхай_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
30А 600В Диод быстрого восстановления MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT ТО-3ПН 600В 30А 英文版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 30 мОм, 1200 В DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 ТО-247 1200В 68А Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 5 А, 1700 В DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
140 А, 30 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
25А 1200В Тренчстоп биполярный транзистор ДГК25Х120М2 ТО-247 с изолированными воротами ДГК25Х120М2 ТО-247 1200В 25А
105 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH025N04P DFN5X6 ДХ025Н04П ДФН5*6-8 40В 130А Спецификация устройства DH025N04.pdf
40А, 60В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH400P06 TO-220C ДХ400П06 ТО-220С 60В 40А Спецификация устройства DH400P06.pdf
10 А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F10N50 TO-220F Ф10Н50 ТО-220Ф 500В 10А 英文版F10N50技术规格书(1).pdf.
90 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHD80N08 TO-252B ДХД80Н08 ТО-252Б 80В 90А Спецификация устройства DHD80N08.pdf
Эпитаксиальный кремниевый транзистор 2SD882 NPN TO-126 2SD882 ТО-126 40В 3А 英文版D882技术规格书.pdf
60А 650В Trenchstop биполярный транзистор с изолированными воротами DGC60F65M TO-247 ДГК60Ф65М ТО-247 650В 60А DGC60F65M__datasheet-12.26.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 85 В DHS045N88 TO-220C ДХС045Н88 ТО-220С 85В 120А Спецификация устройства DHS045N88-Rev.1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторское право © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com