ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 100 В DH10H035R TO-220C ДХ10Х035Р ТО-220С 100В 120А Спецификация устройства DH10H035R.pdf
120 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG053N08N3 ДСГ053N08N3 ТО-220С 80В 120А Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B5N50 TO-251B Б5Н50 ТО-251Б 500В Спецификация устройства D5N50&B5N50.pdf
5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор МОП-транзистор D5N50 TO-252B Д5Н50 ТО-252Б 500В Спецификация устройства D5N50&B5N50.pdf
Диод барьера 10А 650В ДКГТ10Д65Г4 ТО-220-2Л Карбида Шоттки DCGT10D65G4 ТО-220-2Л 650В 10А Спецификация устройства DCGT10D65G4.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB05HB50MFN ЭСОП-9 500В Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB04HB50MF ЭСОП-9 500В Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB04HB50MFN ЭСОП-9 500В Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB03HB50MF ЭСОП-9 500В Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
16А 600В Диод быстрого восстановления MUR1660CT TO-220M MUR1660CT ТО-220М 600В 16А 英文版MUR1660CT и MURF1660CT 技术规格书.pdf
Диод Шоттки с барьером Шоттки, 10 А, 150 В MBR10150CT TO-263 МБР10150CT ТО-263 150 В 10А MBR10150CT Защитный кожух.pdf.
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB07HB50MF ЭСОП-9 500В Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
10А 1200В SiC диод Шоттки с барьером DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
20А 200В НИЗКИЙ ВФ Барьерный диод Шоттки MBRF20R200CT TO-220F МБРФ20Р200КТ ТО-220Ф 200В 20А 英文版MBR20R200CT 技术规格书.pdf
25 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS250N10D TO-252B ДХС250Н10Д ТО-252Б 100В 25А Устройство+DHS250N10D+Спецификация+Ред.1.0.pdf
 N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 100 А, 68 В DH060N07B TO-251B ДХ060Н07Б ТО-251Б 68В 100А Спецификация устройства DH060N07D.pdf
60А, 68В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH50N06 TO-220C ДХ50Н06 ТО-220С 68В 60А Спецификация устройства DH50N06FZC.pdf
80А 400В Диод быстрого восстановления MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT ТО-3ПН 400В 80А 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
Диод с барьером Шоттки, 60 А, 200 В MBR60200CT TO-220C МБР60200CT ТО-220С 200В 60А 英文版MBR60200CT 技术规格书.pdf

Видео о продукте

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик