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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A Spécifications de l'appareil DH10H035R.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 120A 80V DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 5A 500V B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Spécifications de l'appareil D5N50 et B5N50.pdf
Mode d'amélioration du canal N 5A 500V, MOSFET de puissance MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Spécifications de l'appareil D5N50 et B5N50.pdf
Diode barrière SiC Schottky 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Spécifications de l'appareil DCGT10D65G4.pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diode de récupération rapide 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600V 16A Description du produit MUR1660CT&MURF1660CT.pdf
Diode SchottkyBarrier 10A 150V MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 10A 1200V DCD10D120G4/DCCT10D120G4/DCET10D120G4
Diode de barrière Schottky à faible VF, 20A, 200V, MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200V 20A Description du produit MBR20R200CT.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 25a, 100V, DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Appareil+DHS250N10D+Spécification+Rev1.0.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Spécifications de l'appareil DH060N07D.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 68V DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Spécifications de l'appareil DH50N06FZC.pdf
Diode de récupération rapide 80A 400V MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400V 80A Description du produit MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
Diode SchottkyBarrier 60A 200V MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200V 60A Description du produit MBR60200CT.pdf

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