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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance SIC canal N 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 400V 740 TO-220C 740 TO-220C 400V 10A Spécification de l'appareil 740.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 50A 120V DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120V 50A Spécifications de l'appareil DH150N12.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 170A, 100V, DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Mode d'amélioration du canal P 20A 60V, MOSFET de puissance DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60V 20A Spécifications de l'appareil DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 4A 650V B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A Fichier B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 140A, 150V, DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A Donghai_DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
Diode de récupération rapide 30A 600V MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600V 30A Description du produitMUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 30 mΩ 1 200 V DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 5A 1700V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P 140 A 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 25A 1200V DGC25H120M2 TO-247 DGC25H120M2 TO-247 1200V 25A
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 105A 40V DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Spécification de l'appareil DH025N04.pdf
Mode d'amélioration du canal P 40A 60V, MOSFET de puissance DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Spécifications de l'appareil DH400P06.pdf
MOSFET de puissance F10N50 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 10A, 500V F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 80V DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Spécification de l'appareil DHD80N08.pdf
Transistor épitaxial en silicium NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A DGC60F65M__fiche technique-12.26.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Appareil DHS045N88 Spécification-Rev.1.0.pdf

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