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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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140a 30v Mode d'amélioration du canal p MOSFET

Ces VDMOSFETs améliorés par le canal P, utilisés et la conception avancés de la tranchée avancée, fournissent à un excellent RDSON avec une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
Disponibilité:
quantité:
  • DH060P03 / DH060P03F / DH060P03E / DH060P03B / DH060P03D

  • Wxdh

140a 30v Mode d'amélioration du canal p MOSFET


1 Description 

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration des canaux P ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Faible de résistance 

● Charge de porte basse 

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Applications de commutation d'alimentation 

● Système de gestion de l'onduleur 

● outils électriques

● Electronique automobile


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
-30V 4,5mΩ -140a


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