portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » -30V~-100V P MOS » 140A 30V P-kanavan lisäystila Power MOSFET

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjanjakopainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

140A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET

Nämä P-kanavalla parannetut vdmosfetit, joissa on käytetty edistynyttä kaivaustekniikkaa ja suunnittelua, tarjoavat erinomaisen Rdsonin alhaisella porttilatauksella. Joka on RoHS-standardin mukainen.
Saatavuus:
Määrä:
  • DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

  • LXDH

140A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus 

Nämä P-kanavan parannustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi 


3 Sovellukset 

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä 

● Sähkötyökalut

● Autoelektroniikka


VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
-30V 4,5 mΩ -140A


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi