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140 A 30 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und bieten einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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  • DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

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140 A 30 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
-30V 4,5 mΩ -140A


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