140A 30V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu P-kanalı geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç
● Düşük kapı ücreti
● Düşük ters transfer kapasitansları
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç anahtarlama uygulamaları
● İnvertör yönetim sistemi
● Elektrikli aletler
● Otomotiv elektroniği
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| -30V |
4,5 mΩ |
-140A |