geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » -30V ~ -100V P MOS » 140A 30V P-Kanal Geliştirme Modu Güç Mosfet

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

140A 30V P-kanal geliştirme modu güç mosfet

Bu P-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullandı, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson'a sağlıyor. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:
  • DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

  • WXDH

140A 30V P-kanal geliştirme modu güç mosfet


1 Açıklama 

Bu p-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama 

● Direnç düşük 

● Düşük kapı şarjı 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi

●% 100 ΔVDS testi 


3 Uygulama 

● Güç değiştirme uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi 

● Elektrikli aletler

● Otomotiv elektroniği


VDSS RDS (ON) (tip) İD
-30v 4.5mΩ -140a


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun