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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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20A 60V Mode d'amélioration du canal P Power MOSFET DH9Z24 TO-220C

20A 60V Mode d'amélioration des canaux P ASPOCITION MOSFET
Disponibilité:
Quantité:

20A 60V Mode d'amélioration des canaux P MOSFET


1 Description

Ces VDMOSFETs améliorés par le canal P, utilisés et la conception avancés de la tranchée avancée, fournissent à un excellent RDSON avec une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Faible de résistance

● Charge de porte basse 

● Capacités de transfert inverse faibles

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Applications de commutation d'alimentation

● Système de gestion de l'onduleur 

● outils électriques 

● Electronique automobile


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT 
-60v 58,5mΩ -20A



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