20A 60V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH9Z24 TO-220C

20A 60V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullanılan bu P-kanalı geliştirilmiş vdmosfet'ler, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson sağlar. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Düşük ters transfer kapasitansları

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları

● İnverter yönetim sistemi 

● Elektrikli aletler 

● Otomotiv elektroniği

VDSS	RDS(açık) (TİP)	İD
-60V	58,5 mΩ	-20A