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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 68 V DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Dispositivo DH072N07 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 30 V DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Specifiche del dispositivo DH033N03(1).pdf
10N65/F10N65/I10N65
MOSFET di potenza DHS055N85E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 110 A 85 V DHS055N85E TO-263 85 V 110A Specifiche del dispositivo DHS055N85.pdf
MOSFET di potenza DHS035N10 TO-220 in modalità potenziamento canale N da 180 A 100 V DHS035N10 TO-220C 100 V 180A Dispositivo+DHS035N10&DHS035N10E+Specifica+Rev.1.0 (1).pdf
Modulo mezzo ponte 160A 650V Modulo IGBT DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34 mm 650 V 160A DGA160H65M2T.pdf
DGF25F65M
12N65/F12N65
Pacchetto transistor epitassiale al silicio NPN MJD127 TO-252 MJD127 TO-252 -100 V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
DHD10N65
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200 V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 116 A 68 V DH070N07 TO-220C 70 V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
Modulo mezzo ponte 40A 1200V Modulo IGBT DGA40H120M2T 34mm DGA40H120M2T 34 mm 1200 V 40A DGA40H120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET di potenza DHD50N06 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DHD50N06 TO-252B 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Specifiche.pdf
Diodo barriera Schottky 40A 200V MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT TO-3PN 200 V 40A 英文版MBR40200CT技术规格书3PN.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
F8N70
Diodo a recupero rapido 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600 V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 300V MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT TO-3PN 300 V 80A 英文版MUR80FU30DCT技术规格书.pdf

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