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MOSFET di potenza SIC a canale N 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200 V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza 740 TO-220C in modalità potenziata a canale N da 10 A 400 V 740 TO-220C 400 V 10A Specifiche del dispositivo 740.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 120 V DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120 V 50A Specifiche del dispositivo DH150N12.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DSG030N10N3 TO-220C con modalità di potenziamento a canale N da 170 A 100 V DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 20 A 60 V DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60 V 20A Specifiche del dispositivo DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET di potenza DSG070N15NA TO-220C in modalità potenziamento canale N da 140 A 150 V DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 30A 600V MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600 V 30A 英文版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200 V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 5A 1700 V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 140 A 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 25A 1200V DGC25H120M2 TO-247 DGC25H120M2 TO-247 1200 V 25A
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 105 A 40 V DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130A Dispositivo DH025N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 40 A 60 V DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Dispositivo DH400P06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza F10N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 500 V F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza DHD80N08 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 80 V DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specifiche del dispositivo DHD80N08.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650 V 60A DGC60F65M__datasheet-12.26.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf

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