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MOSFET di potenza 740 TO-220C in modalità potenziata a canale N da 10 A 400 V 740 TO-220C 400 V 10A Specifiche del dispositivo 740.pdf
MOSFET di potenza DSG053N08N3 in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DSG030N10N3 TO-220C con modalità di potenziamento a canale N da 170 A 100 V DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 200V MUR6020NCA TO-3PN MUR6020NCA TO-3PN 200 V 60A Il modello MUR6020NCA è Rev. 1.1.pdf
MOSFET di potenza DSG070N15NA TO-220C in modalità potenziamento canale N da 140 A 150 V DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 30A 600V MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600 V 30A 英文版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200 V 68A DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 5A 1700 V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 130 A 40 V DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Dispositivo DH025N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 140 A 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 25A 1200V DGC25H120M2 TO-247 DGC25H120M2 TO-247 1200 V 25A
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 105 A 40 V DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130A Dispositivo DH025N04 Specifiche.pdf
PACCHETTO MOSFET di potenza DSP018N04LA DSP018N04LA in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A  DSP018N04LA _Scheda tecnica_V1.0.pdf
MOSFET N 100 V 140 A DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 9 A 900 V 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
Pacchetto PEDAGGIO DSU007N04NA 40 V/0,5 mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA PEDAGGIO 40 V 360A DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky BASSO da 10 A 150 V MBR10R150CT TO-220C MBR10R150CT TO-220C 150 V 10A 英文版MBR10R150CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 120 V DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120 V 50A Specifiche del dispositivo DH150N12.pdf
MOSFET N da 80 V/3,4 mΩ/100 A DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

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