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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo DH10H035R.pdf
MOSFET di potenza DSG053N08N3 in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza B5N50 TO-251B in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V B5N50 TO-251B 500 V 5A Specifiche del dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
MOSFET di potenza MOSFET D5N50 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V D5N50 TO-252B 500 V 5A Specifiche del dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCGT10D65G4.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 200 V/11 mΩ/110 A DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600 V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC da 10 A 1200 V DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Diodo barriera Schottky 20A 200V BASSO VF MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS250N10D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Dispositivo+DHS250N10D+Specifiche+Rev1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Dispositivo DH060N07D Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Specifiche del dispositivo DH50N06FZC.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 400V MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400 V 80A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
Diodo barriera Schottky 60A 200V MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200 V 60A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf

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