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DGC75C120M2T
MOSFET N 100 V/5,2 mΩ/95 A DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N da 96 A 100 V DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specifiche del dispositivo DSP051N10N Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 10 A 30 V DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30 V 10A Dispositivo DH160P03V Specifiche Rev.1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650 V 50A DGC50F65M2__datasheet.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 220 A 40 V DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Dispositivo DTE025N04NA&DTG025N04NA Specifiche Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza D2N60 TO-252B in modalità potenziata a canale N da 2 A 600 V D2N60 TO-252B 600 V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V a recupero ultrarapido MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS TO-3PN 300 V 60A
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 13 A 900 V 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900 V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
Diodo a recupero rapido 45A 300V MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT TO-3PN 300 V 45A mur4530dct英文版FRD 45A 300V serie T技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 9 A 900 V 9N90B TO-247 9N90B TO-247 900 V 9A 英文版9N90B技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 75 A 100 V DH100P70 TO-220C 100 V 80A Specifiche del dispositivo DH100P70.pdf
MOSFET di potenza DHS055N07D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 105 A 68 V DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Scheda dati+V2.0 .pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N da 68 A 1200 V DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 238A 60V DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60 V 238A Dispositivo DH026N06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 68 V DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Dispositivo DH072N07 Specifiche.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 100V TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100 V 30A 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf

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