未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
20A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500V 20A Specifikation för enhet 20N50(1).pdf
18A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFETaa1ad6ca97edf01=16A, 600V Ultrasnabba dioder De har ett lågt spänningsfall framåt och är av plan, kiselnitridpassiverad, jonimplanterad, epitaxiell konstruktion. Dessa enheter är avsedda att användas som energistyrnings-/spänndioder och likriktare i en mängd olika strömförsörjningsenheter och andra strömkopplingsapplikationer. Deras låga lagrade laddning och ultrasnabba återhämtning med mjuka återvinningsegenskaper minimerar ringsignaler och elektriskt brus i många strömkopplingskretsar, vilket minskar strömförlusten i kopplingstransistorn TO-220F ger isoleringsspänning klassad till 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns. TO-220F-serien överensstämmer med UL-standarder (Referens:E252906). DH035N04 TO-220C 40V 155A Enhet DH035N04 Specifikation.pdf
POSITIV SPÄNNINGSREGULATION 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2mA 英文版78LXX技术规格书（78L系列）.pdf
40mΩ 650V N-kanal SiC Power MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650V 52A DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanals Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650V 7A Enhet DHDSJ7N65&DHBSJ7N65 Specification.doc.pdf
10A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
80A 300V Snabbåterställningsdiod MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT TO-3PN 300V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
120A 98V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Enhet DHS046N10 Specification.pdf
175A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
500V/4A Halvbro IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
110A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A DH065N06D_Datablad_V2.0.pdf
20A 60V SchottkyBarrierDiode MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60V 20A 英文版MBRF2060CT技术规格书.pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
20A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A DHS400N10D_Datablad_V2.0 .pdf
100A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS065N10 TO-220C 100V 95A Enhet+DHS065N10+Specifikation+Rev.2.0.pdf
220A 40V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Enhet DTE025N04NA&DTG025N04NA Specifikation Rev.1.0.pdf
12N60/F12N60/E12N60
170A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com