brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500 V 20A Specyfikacja urządzenia 20N50(1).pdf
18A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650 V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specyfikacja urządzenia DH035N04.pdf
 REGULATORY NAPIĘCIA DODATNIEGO 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12 V 2mA 英文版78LXX技术规格书(78L系列).pdf
40mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650 V 52A DCC040M65G2 i DCCF040M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
 N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650 V 7A Specyfikacja urządzenia DHDSJ7N65 i DHBSJ7N65.doc.pdf
10A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600 V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 80A 300V MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT TO-3PN 300 V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS046N10.pdf
175A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80 V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
Półmostek 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
85A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A DH075N08 i DH075N08E_Arkusz danych_V2.0.pdf
100A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68 V 100A  DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
110A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A DH065N06D_Arkusz danych_V2.0.pdf
20A 60V Schottky'egoDioda barierowa MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60 V 20A Plik MBRF2060CT 技术规格书.pdf
20A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20A DHS400N10D_Arkusz danych_V2.0 .pdf
100A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Urządzenie+DHS065N10+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
220A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Urządzenie DTE025N04NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
170 A, 30 V, tryb wzmocnienia kanału N, moc MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą