未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
DGC75C120M2T
100 V/5,2 mΩ/95 A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specyfikacja urządzenia DSP051N10N Wersja 1.0.pdf
10A 30V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30 V 10A Specyfikacja urządzenia DH160P03V Rev.1.0.pdf
50A 650V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650 V 50A DGC50F65M2__arkusz danych.pdf
220A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Urządzenie DTE025N04NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
2A 600 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600 V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
60A 300V Ultraszybkie odzyskiwanie Dioda szybkiego odzyskiwania MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS TO-3PN 300 V 60A
13A 900 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900 V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
Dioda szybkiego odzyskiwania 45A 300V MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT TO-3PN 300 V 45A mur4530dct英文版FRD 45A 300V T series技术规格书.pdf
9A 900V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 9N90B TO-247 9N90B TO-247 900 V 9A 英文版9N90B技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET mocy 75 A, 100 V, tryb wzmocnienia kanału P DH100P70 TO-220C 100 V 80A Specyfikacja urządzenia DH100P70.pdf
105A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68 V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+karta katalogowa+V2.0.pdf
68A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A Donghai_DCC040M170G2_Arkusz danych_V1.0(1).pdf
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60 V 238A Specyfikacja urządzenia DH026N06.pdf
80A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68 V 80A Specyfikacja urządzenia DH072N07.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 30A 100V TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100 V 30A Przeczytaj MBRF30100CT 技术规格书REV1.1.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com