brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H035R.pdf
120A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
5A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
5A 500 V tryb wzmocnienia kanału N moc MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCGT10D65G4.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600 V 16A Pliki MUR1660CT i MURF1660CT 技术规格书.pdf
10A 150V Schottky'egoDioda barierowa MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 10A 1200V SiC DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 200V LOW VF MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Urządzenie+DHS250N10D+Specyfikacja+Rev1.0.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Specyfikacja urządzenia DH060N07D.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68 V 60A Specyfikacja urządzenia DH50N06FZC.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 80A 400V MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400 V 80A Przeczytaj MUR80FU40NCT 技术规格书REV1.3.pdf
60A 200V Schottky'egoDioda barierowa MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200 V 60A Plik źródłowy MBR60200CT 技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą