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DH10H035R |
TO-220C |
100V |
120A |
Gerätespezifikation DH10H035R.pdf |
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DSG053N08N3 |
TO-220C |
80V |
120A |
Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf |
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B5N50 |
TO-251B |
500V |
5A |
Gerätespezifikation D5N50 und B5N50.pdf |
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D5N50 |
TO-252B |
500V |
5A |
Gerätespezifikation D5N50 und B5N50.pdf |
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DCGT10D65G4 |
TO-220-2L |
650V |
10A |
Gerätespezifikation DCGT10D65G4.pdf |
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DPQB05HB50MFN |
ESOP-9 |
500V |
5A |
Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf |
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DPQB04HB50MF |
ESOP-9 |
500V |
4A |
Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf |
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DPQB04HB50MFN |
ESOP-9 |
500V |
4A |
Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf |
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DSN108N20N |
TO-3PN |
200V |
110A |
Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf |
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DPQB03HB50MF |
ESOP-9 |
500V |
3A |
Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf |
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MUR1660CT |
TO-220M |
600V |
16A |
英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf |
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MBR10150CT |
TO-263 |
150V |
10A |
MBR10150CT技术规格书.pdf |
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DPQB07HB50MF |
ESOP-9 |
500V |
7A |
Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf |
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DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4 |
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MBRF20R200CT |
TO-220F |
200V |
20A |
文文版MBR20R200CT术规格书.pdf |
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DHS250N10D |
TO-252B |
100V |
25A |
Gerät+DHS250N10D+Spezifikation+Rev1.0.pdf |
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DH060N07B |
TO-251B |
68V |
100A |
Gerätespezifikation DH060N07D.pdf |
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DH50N06 |
TO-220C |
68V |
60A |
Gerätespezifikation DH50N06FZC.pdf |
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MUR80FU40NCT |
TO-3PN |
400V |
80A |
Siehe MUR80FU40NCT, Version 1.3.pdDurchlasswiderstand: Durch die Verwendung fortschrittlicher Trench-Technologie bietet dieser MOSFET einen niedrigen Rdson (Einschaltwiderstand), wodurch Leistungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. |
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MBR60200CT |
TO-220C |
200V |
60A |
Weitere Informationen finden Sie unter MBR60200CT.pdf |
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