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DGC75C120M2T
100 V/5,2 mΩ/95 A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
96 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Gerät DSP051N10N Spezifikation Rev.1.0.pdf
10 A 30 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Gerät DH160P03V Spezifikation Rev.1.0.pdf
50 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650V 50A DGC50F65M2__Datenblatt.pdf
220 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Gerät DTE025N04NA&DTG025N04NA Spezifikation Rev.1.0.pdf
2A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
60A 300V Ultraschnelle Erholungsdiode MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS TO-3PN 300V 60A
13A 900V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900V 13A 英文版13N90术规格书.pdf
80 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
45A 300V Fast-Recovery-Diode MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT TO-3PN 300V 45A mur4530dct英文版FRD 45A 300V T-Serie技术规格书.pdf
9A 900V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 9N90B TO-247 9N90B TO-247 900V 9A 英文版9N90B术规格书REV1.0(1).pdf
75 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P70 TO-220C 100V 80A Gerätespezifikation DH100P70.pdf
105 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Datenblatt+V2.0 .pdf
68 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A Gerätespezifikation DH026N06.pdf
80 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Gerätespezifikation DH072N07.pdf
30 A 100 V Schottky-Diode TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100V 30A 英文版MBRF30100CT术规格书REV1.1.pdf

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