未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
DGC75C120M2T
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Specifikace zařízení DSP051N10N Rev.1.0.pdf
10A 30V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Specifikace zařízení DH160P03V Rev.1.0.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650V 50A DGC50F65M2__datasheet.pdf
220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Specifikace zařízení DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
60A 300V Ultra rychlá obnova Dioda pro rychlou obnovu MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS TO-3PN 300V 60A
13A 900V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
80A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
45A 300V Dioda rychlého obnovení MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT TO-3PN 300V 45A mur4530dct英文版FRD 45A 300V série T技术规格书.pdf
9A 900V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 9N90B TO-247 9N90B TO-247 900V 9A 英文版9N90B技术规格书REV1.0(1).pdf
Výkonový MOSFET 75A 100V P-channel Mode Enhancement DH100P70 TO-220C 100V 80A Specifikace zařízení DH100P70.pdf
105A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Datový list+V2.0 .pdf
68A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A Specifikace zařízení DH026N06.pdf
80A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
30A 100V Schottkyho bariérová dioda TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100V 30A 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com