brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení DH10H035R.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
5A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Specifikace zařízení D5N50&B5N50.pdf
5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Specifikace zařízení D5N50&B5N50.pdf
SiC Schottkyho bariérová dioda 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Specifikace zařízení DCGT10D65G4.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
16A 600V Dioda rychlé obnovy MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
10A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
20A 200V LOW VF Schottkyho bariérová dioda MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Zařízení+DHS250N10D+Specifikace+Rev1.0.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Specifikace zařízení DH060N07D.pdf
60A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Specifikace zařízení DH50N06FZC.pdf
80A 400V Dioda rychlého obnovení MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400V 80A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
60A 200V SchottkyBarrierDiode MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200V 60A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky