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Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R A-220C 100V 120A Especificación del dispositivo DH10H035R.pdf
MOSFET de potencia DSG053N08N3 del modo de mejora del canal N de 120A 80V DSG053N08N3 A-220C 80V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET B5N50 TO-251B de potencia del modo de mejora del canal N de 5A 500V B5N50 TO-251B 500V 5A Especificación del dispositivo D5N50 y B5N50.pdf
MOSFET D5N50 TO-252B del MOSFET del poder del modo del aumento del canal N de 5A 500V D5N50 TO-252B 500V 5A Especificación del dispositivo D5N50 y B5N50.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Especificación del dispositivo DCGT10D65G4.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N A-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo recuperación rápida 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT A-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-263 MBR10150CT A-263 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A y 1200V DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Diodo de barrera Schottky MBRF20R200CT TO-220F de 20A 200V BAJA VF MBRF20R200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 25A 100V DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Dispositivo+DHS250N10D+Especificación+Rev1.0.pdf
 Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Especificación del dispositivo DH060N07D.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 68V DH50N06 TO-220C DH50N06 A-220C 68V 60A Especificación del dispositivo DH50N06FZC.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 400V MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT A-3PN 400V 80A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
Diodo de barrera Schottky 60A 200V MBR60200CT TO-220C MBR60200CT A-220C 200V 60A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf

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