40V/0.5MΩ/360A N-MOSFET
1 descripción
Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
• AEC-Q101 calificado
● Bajo en resistencia
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
● Capazante de placas sin PB / sin halógeno / ROHS
3 aplicaciones
• Control y unidad del motor
• Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería
• Rectificador sincrónico para SMPS
• Aplicación automotriz
VDSS |
RDS (ON) (typ) |
IDENTIFICACIÓN |
40V |
0.5mΩ |
360a |