แพ็คเกจค่าผ่านทาง 40V/0.5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA

40V/0.5mΩ/360A N-MOSFET

1 คำอธิบาย 

MOSFET พลังงานโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel นี้ใช้เทคโนโลยี Split Gate Trench ขั้นสูง ซึ่งให้การชาร์จ Rdson และ Low Gate ที่ยอดเยี่ยมในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

• ผ่านการรับรอง AEC-Q101

● ความต้านทานต่ำ 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100%

● การชุบแบบไร้ Pb / ไร้ฮาโลเจน / เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS

3 การใช้งาน 

• การควบคุมมอเตอร์และการขับเคลื่อน 

• การชาร์จ/คายประจุสำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่ 

• วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัสสำหรับ SMPS

• การใช้งานด้านยานยนต์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
40V	0.5mΩ	360A