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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Paquet péage 40 V/0,5 mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

40 V/0,5 mΩ/360 A N-MOSFET


1 Descriptif 

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

• Qualifié AEC-Q101

● Faible résistance 

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS

● Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS


3 candidatures 

• Contrôle et entraînement du moteur 

• Charge/décharge pour le système de gestion de batterie 

• Redresseur synchrone pour SMPS

• Application automobile


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
40V 0,5 mΩ 360A


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