Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
DSU007N04NA
WXDH
GEÇİŞ ÜCRETİ
40V
360a
40V/0.5MΩ/360A N-MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
• AEC-Q101 Nitelikli
● Direnç düşük
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
● PB içermeyen kaplama / halojensiz / rohs uyumlu
3 Uygulama
• Motor kontrolü ve sürüşü
• Pil yönetim sistemi için şarj/deşarj
• SMP'ler için senkron doğrultucu
• Otomotiv uygulaması
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
40V | 0.5mΩ | 360a |
40V/0.5MΩ/360A N-MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
• AEC-Q101 Nitelikli
● Direnç düşük
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
● PB içermeyen kaplama / halojensiz / rohs uyumlu
3 Uygulama
• Motor kontrolü ve sürüşü
• Pil yönetim sistemi için şarj/deşarj
• SMP'ler için senkron doğrultucu
• Otomotiv uygulaması
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
40V | 0.5mΩ | 360a |