ຊຸດໂທ 40V/0.5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA

40V/0.5mΩ/360A N-MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ 

ພະລັງງານຂອງໂຫມດການປັບປຸງ N-channel ນີ້ MOSFET ໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ Split Gate Trench ຂັ້ນສູງ, ເຊິ່ງສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າ Gate ຕ່ໍາໃນເວລາດຽວກັນ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ 

• AEC-Q101 ມີຄຸນສົມບັດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ 

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

● Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS ປະຕິບັດຕາມ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

• ຄວບຄຸມມໍເຕີ ແລະຂັບ 

• ການສາກໄຟ/ການປົດສາກສຳລັບລະບົບການຈັດການແບັດເຕີຣີ 

• Synchronous Rectifier ສໍາລັບ SMPS

• ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກລົດຍົນ

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
40V	0.5mΩ	360A