未命名 (1) (8) (1)
שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., בע'מ
אתה כאן: בַּיִת » מוצרים » MOSFET » 12V-300V N MOS » 40V/0.5MΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA חבילת אגרה

טְעִינָה

שתף ל:
כפתור שיתוף פייסבוק
כפתור שיתוף טוויטר
כפתור שיתוף קו
כפתור שיתוף WeChat
כפתור שיתוף לינקדאין
כפתור שיתוף Pinterest
כפתור שיתוף WhatsApp
כפתור השיתוף של שיתוף

40V/0.5MΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA חבילת אגרה

מצב שיפור N-Channel Power MOSFETs השתמשו בתכנון טכנולוגי מתקדם של שער שער שער, סיפקו RDSon מעולה ומטען שער נמוך. אשר תואם את תקן ה- ROHS.
זמינות:
כמות:
לִשְׁאוֹל הוסף לסל

40V/0.5MΩ/360A N-MOSFET


תיאור אחד 

מצב שיפור N-Channel זה כוח MOSFET משתמש בטכנולוגיית טרנץ 'מתקדמת של שער מפוצל, המספק RDSON מעולה ומטען שער נמוך בו זמנית. אשר תואם את תקן ה- ROHS. 


2 תכונות 

• AEC-Q101 מוסמך

● נמוך בהתנגדות 

● קיבולי העברה הפוכים נמוכים

● 100% בדיקת אנרגיה של מפולת דופק בודדת 

● מבחן 100% ΔVDS

● תואם ציפוי ללא PB / ללא הלוגן / ROHS


3 יישומים 

• בקרת מנוע וכונן 

• טעינה/פריקה עבור מערכת ניהול סוללות 

• מיישר סינכרוני ל- SMP

• יישום רכב


Vdss RDS (ON) (טיפוס) תְעוּדַת זֶהוּת
40 וולט 0.5MΩ 360 א


קוֹדֵם: 
הַבָּא: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., בע'מ
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • תתכונן
    להירשם לעתיד לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישר לתיבת הדואר הנכנס שלך
    לְהַגִישׁ
זכויות יוצרים © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology מאת readong.com