חבילת אגרה 40V/0.5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA

40V/0.5mΩ/360A N-MOSFET

1 תיאור 

MOSFET במצב שיפור N-channel זה משתמש בטכנולוגיית Split Gate Trench מתקדמת, המספקת Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה בו זמנית. מה שמתאים לתקן RoHS. 

2 תכונות 

• AEC-Q101 מוסמך

● התנגדות נמוכה 

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית 

● 100% בדיקת ΔVDS

● ציפוי ללא Pb / ללא הלוגן / תואם RoHS

3 יישומים 

• בקרת מנוע והנעה 

• טעינה/פריקה עבור מערכת ניהול סוללות 

• מיישר סינכרוני עבור SMPS

• יישום רכב

VDSS	RDS(on)(TYP)	תְעוּדַת זֶהוּת
40V	0.5mΩ	360A