未命名 (1) (8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sei qui: Casa » Prodotti » » MOSFET » 12v-300v n Mos » 40V/0.5MΩ/360An-Mosfet DSU007N04NA PACCHETTO

caricamento

Condividi a:
Pulsante di condivisione di Facebook
Pulsante di condivisione di Twitter
pulsante di condivisione della linea
Pulsante di condivisione di WeChat
pulsante di condivisione LinkedIn
Pulsante Pinterest Condivisione
Pulsante di condivisione di WhatsApp
ShareThis Pulsante di condivisione

40V/0,5MΩ/360an-Mosfet DSU007N04NA PACCHETTO

Questi MOSFET di potenza in modalità di miglioramento del canale N hanno utilizzato la progettazione della tecnologia di trincea a splite avanzate, hanno fornito eccellenti RDON e bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS.
Disponibilità:
quantità:
Informarsi Aggiungi al cestino

40V/0,5 mΩ/360A N-MOSFET


1 Descrizione 

Questo MOSFET di potenziamento della modalità di miglioramento N-Canale utilizza la tecnologia di trincea di Gate Split Advanced, che fornisce un'eccellente carica RDON e bassa gate contemporaneamente. Che accorda con lo standard ROHS. 


2 caratteristiche 

• AEC-Q101 qualificato

● Resistenza bassa 

● Capacità di trasferimento inverse basse

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100% 

● Test al 100% ΔVDS

● Placting privo di Pb / senza alogeno / conforme ROHS


3 applicazioni 

• Controllo e guida del motore 

• Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria 

• raddrizzatore sincrono per SMP

• Applicazione automobilistica


VDSS RDS (ON) (tip) ID
40v 0,5 MΩ 360a


Precedente: 
Prossimo: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • Preparati per il futuro
    Iscriviti alla nostra newsletter per ottenere aggiornamenti direttamente alla tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology di Leadong.com