40V/0,5mΩ/360A N-MOSFET
1 Kuvaus
Tämä N-kanavainen tehostustilateho MOSFET hyödyntää edistynyttä Split Gate Trench -tekniikkaa, joka tarjoaa erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen Gate-latauksen samanaikaisesti. Joka on RoHS-standardin mukainen.
2 Ominaisuudet
• AEC-Q101-hyväksytty
● Alhainen vastus
● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit
● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100 % ΔVDS-testi
● Pb-vapaa pinnoitus / halogeeniton / RoHS-yhteensopiva
3 Sovellukset
• Moottorin ohjaus ja käyttö
• Akunhallintajärjestelmän lataus/purkaus
• Synkroninen tasasuuntaaja SMPS:lle
• Autoteollisuussovellus
| VDSS |
RDS(päällä)(TYP) |
ID |
| 40V |
0,5 mΩ |
360A |