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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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PAQUETE MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 40 V


1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 


2 características

● Calificación AEC-Q101

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 


3 aplicaciones

● Rectificación síncrona en SMPS

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad 

● herramientas eléctricas

● SAI 

● Control de motores 


VDSS RDS (activado) (TIPO) IDENTIFICACIÓN
40V 1,4 mΩ 100A


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