portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100A 40V N-kanavainen lisälaite Virta MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 PAKETTI

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

100A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 PAKETTI

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
Saatavuus:
Määrä:

100A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus 

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet

● AEC-Q101-hyväksytty

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 


3 Sovellukset

● Synkroninen tasasuuntaus SMPS:ssä

● Kova kytkentä ja suurnopeuspiiri 

● Sähkötyökalut

● UPS 

● Moottorin ohjaus 


VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
40V 1,4 mΩ 100A


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi