100 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSP018N04LA DFN5X6-PAKET

100 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● AEC-Q101-qualifiziert

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Synchrongleichrichtung in SMPS

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung 

● Elektrowerkzeuge

● USV 

● Motorsteuerung 

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
40V	1,4 mΩ	100A