未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSP018N04LA BALENÍ DFN5X6

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

100A 40V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DSP018N04LA BALENÍ DFN5X6

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidat do košíku

100A 40V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET


1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti

● Kvalifikace AEC-Q101

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● Test 100% ΔVDS 


3 Aplikace

● Synchronní usměrnění v SMPS

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod 

● Elektrické nářadí

● UPS 

● Ovládání motoru 


VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
40V 1,4 mΩ 100A


Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com