MOSFET de potencia de SiC de canal N, 30mΩ, 1200V, DCC030M120G2 TO-247-3L

MOSFET de potencia de SiC de canal N de 30 mΩ y 1200 V

1 Descripción 

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características 

● Mayor eficiencia del sistema 

● Requisitos de refrigeración reducidos 

● Mayor densidad de energía 

● Mayor frecuencia de conmutación del sistema

3 aplicaciones

● Fuentes de alimentación. 

● Convertidores CC/CC de Alta Tensión. 

● Accionamientos de motores. 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado 

● Aplicaciones de energía pulsada

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
1200V	30mΩ	68A