MOSFET N de 100 V/4,8 mΩ/140 A
1 Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja resistencia
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Control y accionamiento de motores
● Carga/Descarga para el sistema de gestión de baterías
● Rectificador síncrono para SMPS
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 100V |
4,8 mΩ |
140A |