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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:

100 V/4,8 mΩ/140 A N-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem

● Synchrongleichrichter für SMPS


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 4,8 mΩ 140A


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