100 V/4,8 mΩ/140 A N-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Geringer Widerstand
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Motorsteuerung und Antrieb
● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem
● Synchrongleichrichter für SMPS
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
| 100V |
4,8 mΩ |
140A |