未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
100A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P DataSheet V3.0.pdf
8A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
10A 100V SchottkyBarrierDiode MBR10100CT TO-220M MBR10100CT TO-220M 100V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
4A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení DH10H037R.pdf
120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Specifikace zařízení DHS046N10.pdf
Výkonový MOSFET 63A 60V N-channel Enhancement Mode DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Epitaxní silikonový tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
140A 30V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
20A 200V LOW VF Schottkyho bariérová dioda MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Zařízení+DHS250N10D+Specifikace+Rev1.0.pdf
-30A -100V Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Specifikace zařízení DH50N06FZC.pdf
80A 400V Dioda rychlého obnovení MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400V 80A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
60A 200V SchottkyBarrierDiode MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200V 60A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf
18A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200V 18A DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com