未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
40A 100V SchottkyBarrierDiode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
14A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Enhet DH8004 Specifikation (2).pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Enhet DHS052N10 Specification.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor TIP122 TO-220M Paket TIPS127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Snabb återställningsdiod 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
140A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Enhet DHP035N04 Specifikation.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor TIP122 TO-220M Paket TIPS122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Enhet DHS045N88 Specifikation-Rev.1.0.pdf
Snabb återställningsdiod 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V P-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Enhet DH100P30CB1Q Specifikation.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Datablad_V1.0.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Enhet DHS045N88 Specifikation-Rev.1.0.pdf
100A 650V Halvbryggmodul IGBT-modul DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V isolerad grind bipolär transistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Enhet DHG20T65D Specifikation(TO-220F).pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Enhet DHS052N10 Specification.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Enhet DHS052N10 Specification.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com