brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
20A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR20100CT TO-252 ~!phoenix_var84!~ TO-252 100 V 20A Plik źródłowy MBR20100CT 技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
40A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100 V 40A Pobierz MBR40100CT 技术规格书REV1.0.pdf
14A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180A Specyfikacja urządzenia DH8004 (2).pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
Pakiet epitaksjalnego tranzystora krzemowego NPN TIP122 TO-220M WSKAZÓWKA127 TO-220M -100 V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
 Dioda szybkiego odzyskiwania 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600 V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
140A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Specyfikacja urządzenia DHP035N04.pdf
Pakiet epitaksjalnego tranzystora krzemowego NPN TIP122 TO-220M WSKAZÓWKA122 TO-220M 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300 V 60A Plik MUR6030DCS 技术规格书.pdf
-30A -100V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30A Specyfikacja urządzenia DH100P30CB1Q.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A DH140N10B i DH140N10D_Arkusz danych_V1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Moduł półmostkowy 100A 650V Moduł IGBT DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 18A 650 V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Specyfikacja urządzenia DHG20T65D (TO-220F).pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą