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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 20A 650V 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650V 20A Fichier 20N65D技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 100A, 40V, DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Fiche technique Donghai DHS021N04P V3.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 8A 600V 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
Diode SchottkyBarrier 10A 100V MBR10100CT TO-220M MBR10100CT TO-220M 100V 10A Description du produit MBR10100CT.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 4A 650V B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A Fichier B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 8A 500V 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 9A 650V D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N, 100 A, 40 V, DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 120A 100V DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Spécifications de l'appareil DH10H037R.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 120A, 98V, DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Spécification de l'appareil DHS046N10.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 63 A 60 V DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Transistor épitaxial en silicium NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P 140 A 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Diode de barrière Schottky à faible VF, 20A, 200V, MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200V 20A Description du produit MBR20R200CT.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 25a, 100V, DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Appareil+DHS250N10D+Spécification+Rev1.0.pdf
-30A -100V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A Spécifications de l'appareil DH100P30CB1Q.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 68V DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Spécifications de l'appareil DH50N06FZC.pdf
Diode de récupération rapide 80A 400V MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400V 80A Description du produit MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
Diode SchottkyBarrier 60A 200V MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200V 60A Description du produit MBR60200CT.pdf

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